NANDフラッシュメモリーはSLC、MLCおよびTLCという3種類の基板カテゴリーに分割できます。
SLCはシングルレベルセル（Single-Level Cell）の略語です。
SLCメモリーではセルごとに1ビット保存され、転送速度が速く、電力消費が低くなり、セルの耐性が高くなっています。シングルレベルセルの唯一の欠点は、MBごとの製造コストです。SLCフラッシュ技術は、速度と信頼性が重要である高性能メモリーカードで使用されています。
MLCはマルチレベルセル「Multi-level Cell」の略語です。
MLCメモリーではセルごとに2ビット保存されます。セルごとに保存するビットを増やしたことにより、シングルレベルセルメモリーカードに比べると、マルチレベルセルメモリーカードでは転送速度が遅くなり、電力消費が大きくなり、セルの耐性が低くなります。マルチレベルセルメモリーの利点は、製造コストが低いことです。MLCフラッシュ技術は、標準的な家庭用メモリーデバイスの多くに使用されています。
TLCはトリプルレベルセル「Triple-level Cell」の略です。
TLCメモリーでは、セルごとに3ビット保存します。セルごとのビット保存数を増やしたことにより、マルチレベルセルメモリーカードとシングルレベルセルメモリーカードに比べ、トリプルレベルセルメモリーカードは転送速度が遅くなり、エラー率が上昇し、セルの耐性が低くなります。トリプルレベルセルメモリーカードの利点は、同じ容量のSLCおよびMLCチップに比べ、サイズが小さく、使用時の消費電力がMLCメモリーより少なく、生産コストが安いことにあります。TLCフラッシュ技術は、主に速度と信頼性がそれほど重要でない、低価格のメモリーデバイスに使用されています。
